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    工作温度

     
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

     
    晶体管类型

     
    功率 - 最大值

     
    安装类型

     
    零件状态

     
    基本零件编号

     
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)

     
    封装/外壳

     
    电压 - 集射极击穿(最大值)

     
    频率 - 跃迁

     
    电流 - 集电极(Ic)(最大值)

     
    电流 - 集电极截止(最大值)

     
    通知

     
    包装

     
    供应商器件封装

    应用筛选
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    RoHSx
    工作温度:x
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):x
    晶体管类型:x
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    安装类型:x
    零件状态:x
    基本零件编号:x
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    封装/外壳:x
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    频率 - 跃迁:x
    电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
    电流 - 集电极截止(最大值):x
    通知:x
    包装:x
    供应商器件封装:x
    序号 图片 型号 制造商 环保 描述
    1 FMB3904 ON Semiconductor Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN(双) 40V 200mA 250MHz 700mW 表面贴装 SuperSOT?-6
    2 FMB3904 ON Semiconductor Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN(双) 40V 200mA 250MHz 700mW 表面贴装 SuperSOT?-6
    3 FMB3904 ON Semiconductor Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN(双) 40V 200mA 250MHz 700mW 表面贴装 SuperSOT?-6
    4 BC807DS,115 Nexperia USA Inc. Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双) 45V 500mA 80MHz 600mW 表面贴装 6-TSOP
    5 BC807DS,115 Nexperia USA Inc. Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双) 45V 500mA 80MHz 600mW 表面贴装 6-TSOP
    6 BC807DS,115 Nexperia USA Inc. Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双) 45V 500mA 80MHz 600mW 表面贴装 6-TSOP
    7 HN4A56JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双) 50V 150mA 60MHz 200mW 表面贴装 USV
    8 HN4A56JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双) 50V 150mA 60MHz 200mW 表面贴装 USV
    9 HN4A56JU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双) 50V 150mA 60MHz 200mW 表面贴装 USV
    10 BCM856BS/ZLH Nexperia USA Inc. Bipolar (BJT) Transistor Array 表面贴装 6-TSSOP
    11 BCM856BS/ZLX Nexperia USA Inc. Bipolar (BJT) Transistor Array 表面贴装 6-TSSOP
    12 BCM856BSH Nexperia USA Inc. Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双)配对 65V 100mA 175MHz 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    13 BCM856BSH Nexperia USA Inc. Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP(双)配对 65V 100mA 175MHz 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    14 PBSS4350SPN,115 Nexperia USA Inc. Y Bipolar (BJT) Transistor Array NPN,PNP 50V 2.7A 750mW 表面贴装 8-SO
    15 PBSS4350SPN,115 Nexperia USA Inc. Y Bipolar (BJT) Transistor Array NPN,PNP 50V 2.7A 750mW 表面贴装 8-SO
    16 PBSS4350SPN,115 Nexperia USA Inc. Y Bipolar (BJT) Transistor Array NPN,PNP 50V 2.7A 750mW 表面贴装 8-SO
    17 UMZ2NTR Rohm Semiconductor Y Bipolar (BJT) Transistor Array NPN,PNP 50V 150mA 180MHz,140MHz 150mW 表面贴装 UMT6
    18 UMZ2NTR Rohm Semiconductor Y Bipolar (BJT) Transistor Array NPN,PNP 50V 150mA 180MHz,140MHz 150mW 表面贴装 UMT6
    19 UMZ2NTR Rohm Semiconductor Y Bipolar (BJT) Transistor Array NPN,PNP 50V 150mA 180MHz,140MHz 150mW 表面贴装 UMT6
    20 暂无 NMB2227AZ Nexperia USA Inc. Y Bipolar (BJT) Transistor Array NPN,PNP 40V 600mA 300MHz 300mW 表面贴装 6-TSOP

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