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    工作温度

     
    增益

     
    晶体管类型

     
    功率 - 最大值

     
    安装类型

     
    频率 - 跃迁

     
    基本零件编号

     
    封装/外壳

     
    电压 - 集射极击穿(最大值)

     
    零件状态

     
    电流 - 集电极(Ic)(最大值)

     
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

     
    包装

     
    噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)

     
    供应商器件封装

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    RoHSx
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    晶体管类型:x
    功率 - 最大值:x
    安装类型:x
    频率 - 跃迁:x
    基本零件编号:x
    封装/外壳:x
    电压 - 集射极击穿(最大值):x
    零件状态:x
    电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):x
    包装:x
    噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):x
    供应商器件封装:x
    序号 图片 型号 制造商 环保 描述
    1 HFA3134IHZ96 Renesas Electronics America Inc. Y RF Transistor 2 NPN(双) 9V 26mA 8.5GHz 表面贴装 SOT-23-6
    2 HFA3134IHZ96 Renesas Electronics America Inc. Y RF Transistor 2 NPN(双) 9V 26mA 8.5GHz 表面贴装 SOT-23-6
    3 HFA3134IHZ96 Renesas Electronics America Inc. Y RF Transistor 2 NPN(双) 9V 26mA 8.5GHz 表面贴装 SOT-23-6
    4 BFP 182 E7764 Infineon Technologies RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW 表面贴装 PG-SOT143-4
    5 BFS 17P E6433 Infineon Technologies RF Transistor NPN 15V 25mA 1.4GHz 280mW 表面贴装 SOT-23-3
    6 NE85619-T1-A CEL RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 100mW 表面贴装 SOT-523
    7 NE85619-T1-A CEL RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 100mW 表面贴装 SOT-523
    8 MSC3930-BT1 ON Semiconductor RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW 表面贴装 SC-70-3(SOT323)
    9 MSC3930-BT1G ON Semiconductor RF Transistor NPN 20V 30mA 150MHz 200mW 表面贴装 SC-70-3(SOT323)
    10 MMBT5179 ON Semiconductor Y RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)
    11 AT-42035G Broadcom Limited RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 600mW 表面贴装 35 micro-X
    12 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies Y RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 表面贴装 PG-TSFP-3
    13 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies Y RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 表面贴装 PG-TSFP-3
    14 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies Y RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 表面贴装 PG-TSFP-3
    15 BFU730F,115 NXP USA Inc. Y RF Transistor NPN 2.8V 30mA 55GHz 197mW 表面贴装 4-DFP
    16 BFU730F,115 NXP USA Inc. Y RF Transistor NPN 2.8V 30mA 55GHz 197mW 表面贴装 4-DFP
    17 BFU730F,115 NXP USA Inc. Y RF Transistor NPN 2.8V 30mA 55GHz 197mW 表面贴装 4-DFP
    18 BFR183WH6327XTSA1 Infineon Technologies Y RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW 表面贴装 PG-SOT323-3
    19 2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage RF Transistor NPN 10V 30mA 6GHz 100mW 表面贴装 SSM
    20 2SC5108-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage RF Transistor NPN 10V 30mA 6GHz 100mW 表面贴装 SSM

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