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    电阻 - RDS(开)

     
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    封装/外壳:x
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    电压 - 击穿(V(BR)GSS):x
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    序号 图片 型号 制造商 环保 描述
    1 MMBF5434 ON Semiconductor JFET N 沟道 25V 350mW 表面贴装 SuperSOT-3
    2 SST4118-T1-E3 Vishay Siliconix Y JFET N 沟道 40V 350mW 表面贴装 SOT-23
    3 暂无 MV2N4857 Microsemi Corporation JFET N 沟道 40V 360mW 通孔 TO-18(TO-206AA)
    4 暂无 2N4857 Microsemi Corporation JFET N 沟道 40V 360mW 通孔 TO-18
    5 暂无 MX2N4857 Microsemi Corporation JFET N 沟道 40V 360mW 通孔 TO-18(TO-206AA)
    6 JANTX2N4857 Microsemi Corporation JFET N 沟道 40V 360mW 通孔 TO-18
    7 暂无 2N4857JTX02 Vishay Siliconix JFET 通孔 TO-206AA(TO-18)
    8 暂无 2N4857JTXV02 Vishay Siliconix JFET 通孔 TO-206AA(TO-18)
    9 暂无 2N4857JTXL02 Vishay Siliconix JFET 通孔 TO-206AA(TO-18)
    10 暂无 2N4857JAN02 Vishay Siliconix JFET 通孔 TO-206AA(TO-18)
    11 MMBF4118 ON Semiconductor Y JFET N 沟道 40V 225mW 表面贴装 SOT-23-3
    12 MMBF4118 ON Semiconductor Y JFET N 沟道 40V 225mW 表面贴装 SOT-23-3
    13 TF202THC-3-TL-H ON Semiconductor Y JFET N 沟道 1mA 100mW 表面贴装 3-VTFP
    14 TF202THC-5-TL-H ON Semiconductor JFET N 沟道 1mA 100mW 表面贴装 3-VTFP
    15 PMBFJ108,215 NXP USA Inc. Y JFET N 沟道 25V 250mW 表面贴装 SOT-23(TO-236AB)
    16 PMBFJ108,215 NXP USA Inc. Y JFET N 沟道 25V 250mW 表面贴装 SOT-23(TO-236AB)
    17 PMBFJ108,215 NXP USA Inc. Y JFET N 沟道 25V 250mW 表面贴装 SOT-23(TO-236AB)
    18 MMBFJ177LT1 ON Semiconductor JFET P 沟道 30V 225mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)
    19 暂无 BSV80 Central Semiconductor Corp JFET N 沟道 350mW 通孔 TO-18
    20 MCH5908H-TL-E ON Semiconductor Y JFET 2 个 N 沟道(双) 50mA 300mW 表面贴装 5-MCPH

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