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    工作温度

     
    漏源电压(Vdss)

     
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

     
    不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)

     
    FET 功能

     
    功率 - 最大值

     
    安装类型

     
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

     
    基本零件编号

     
    不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)

     
    FET 类型

     
    封装/外壳

     
    包装

     
    供应商器件封装

     
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    应用筛选
    仅显示有货x
    RoHSx
    工作温度:x
    漏源电压(Vdss):x
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):x
    不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):x
    FET 功能:x
    功率 - 最大值:x
    安装类型:x
    电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):x
    基本零件编号:x
    不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):x
    FET 类型:x
    封装/外壳:x
    零件状态:x
    包装:x
    供应商器件封装:x
    不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):x
    序号 图片 型号 制造商 环保 描述
    1 DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO
    2 DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO
    3 DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6.8A 1.8W 表面贴装 8-SO
    4 QS6J1TR Rohm Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.5A 1.25W 表面贴装 TSMT6(SC-95)
    5 QS6J1TR Rohm Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.5A 1.25W 表面贴装 TSMT6(SC-95)
    6 QS6J1TR Rohm Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 1.5A 1.25W 表面贴装 TSMT6(SC-95)
    7 FDW9926A ON Semiconductor 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 4.5A 600mW 表面贴装 8-TSSOP
    8 IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies 2 个 N 通道(双),肖特基 Mosfet 阵列 25V 64A,188A 31W,63W 表面贴装 PQFN(5x6)
    9 IRFH4251DTRPBF Infineon Technologies 2 个 N 通道(双),肖特基 Mosfet 阵列 25V 64A,188A 31W,63W 表面贴装 PQFN(5x6)
    10 IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 11A 2.7W 表面贴装 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
    11 IRFHM8363TR2PBF Infineon Technologies Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 11A 2.7W 表面贴装 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
    12 NTZD3154NT1G ON Semiconductor Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 540mA 250mW 表面贴装 SOT-563
    13 DN2625DK6-G Microchip Technology Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 250V 1.1A 表面贴装 8-DFN(5x5)
    14 NTMD6N02R2 ON Semiconductor 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 3.92A 730mW 表面贴装 8-SOIC
    15 暂无 DMN5L06VK-7-G Diodes Incorporated Y Mosfet 阵列
    16 NTJD4158CT1G ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V,20V 250mA,880mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
    17 NTJD4152PT1G ON Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 880mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
    18 NTJD4158CT1G ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V,20V 250mA,880mA 270mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
    19 NTJD4152PT1G ON Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 880mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363
    20 NTJD4152PT1G ON Semiconductor Y 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 880mA 272mW 表面贴装 SC-88/SC70-6/SOT-363

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