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  • 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 共5391条产品


     
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

     
    包装

     
    安装类型

     
    电压 - 集射极击穿(最大值)

     
    电流 - 集电极(Ic)(最大值)

     
    基本零件编号

     
    电阻器 - 基底(R1)

     
    频率 - 跃迁

     
    封装/外壳

     
    晶体管类型

     
    零件状态

     
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)

     
    功率 - 最大值

     
    电阻器 - 发射极基底(R2)

     
    供应商器件封装

     
    电流 - 集电极截止(最大值)

    应用筛选
    仅显示有货x
    RoHSx
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):x
    包装:x
    安装类型:x
    电压 - 集射极击穿(最大值):x
    电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
    基本零件编号:x
    电阻器 - 基底(R1):x
    频率 - 跃迁:x
    封装/外壳:x
    晶体管类型:x
    零件状态:x
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):x
    功率 - 最大值:x
    电阻器 - 发射极基底(R2):x
    供应商器件封装:x
    电流 - 集电极截止(最大值):x
    序号 图片 型号 制造商 环保 描述
    1 RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装 SSM
    2 RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装 SSM
    3 RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 100mW 表面贴装 SSM
    4 UNRL11500A Panasonic Electronic Components Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 100mA 80MHz 150mW 表面贴装 ML4-N1
    5 UNRL11500A Panasonic Electronic Components Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 100mA 80MHz 150mW 表面贴装 ML4-N1
    6 暂无 FJY4012R ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 40V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 SOT-523F
    7 暂无 FJY4012R ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 40V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 SOT-523F
    8 暂无 FJY4012R ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 40V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 SOT-523F
    9 DDTC114EKA-7-F Diodes Incorporated Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SC-59-3
    10 DTC114EKA-TP Micro Commercial Co Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SOT-23-3L
    11 DDTC114EKA-7-F Diodes Incorporated Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SC-59-3
    12 DDTC114EKA-7-F Diodes Incorporated Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SC-59-3
    13 RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 S-Mini
    14 RN1404,LF Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 S-Mini
    15 RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 S-Mini
    16 RN1404S,LF Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 S-Mini
    17 NSV9435T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 30V 3A 110MHz 720mW 表面贴装 SOT-223(TO-261)
    18 SMMUN2116LT3G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 100mA 246mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)
    19 SMMUN2213LT3G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)
    20 SMMUN2213LT3G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)

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