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    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

     
    包装

     
    安装类型

     
    电压 - 集射极击穿(最大值)

     
    电流 - 集电极(Ic)(最大值)

     
    基本零件编号

     
    电阻器 - 基底(R1)

     
    频率 - 跃迁

     
    封装/外壳

     
    晶体管类型

     
    零件状态

     
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)

     
    功率 - 最大值

     
    电阻器 - 发射极基底(R2)

     
    供应商器件封装

     
    电流 - 集电极截止(最大值)

    应用筛选
    仅显示有货x
    RoHSx
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):x
    包装:x
    安装类型:x
    电压 - 集射极击穿(最大值):x
    电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
    基本零件编号:x
    电阻器 - 基底(R1):x
    频率 - 跃迁:x
    封装/外壳:x
    晶体管类型:x
    零件状态:x
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):x
    功率 - 最大值:x
    电阻器 - 发射极基底(R2):x
    供应商器件封装:x
    电流 - 集电极截止(最大值):x
    序号 图片 型号 制造商 环保 描述
    1 DTA024EUBTL Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 30mA 250MHz 200mW 表面贴装 UMT3F
    2 DTA024EUBTL Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 30mA 250MHz 200mW 表面贴装 UMT3F
    3 DTA024EUBTL Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - 预偏压 50V 30mA 250MHz 200mW 表面贴装 UMT3F
    4 DTC114ECA-TP Micro Commercial Co Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SOT-23
    5 DTC114ECA-TP Micro Commercial Co Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 250MHz 200mW 表面贴装 SOT-23
    6 PDTC114EU,135 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 SC-70
    7 PDTC114EU,135 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 SC-70
    8 PDTD113ZTVL Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 500mA 表面贴装 TO-236AB
    9 PDTD113ZTVL Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 500mA 表面贴装 TO-236AB
    10 DRC2123J0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    11 DRC2123J0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    12 DRC2123J0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    13 DRC2113Z0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    14 DRC2113Z0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    15 DRC2113Z0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    16 DRC2523E0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 500mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    17 DRC2523E0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 500mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    18 DRC2523E0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 500mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    19 DRC2143X0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B
    20 DRC2143X0L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - 预偏压 50V 100mA 200mW 表面贴装 迷你型3-G3-B

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