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    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

     
    晶体管类型

     
    功率 - 最大值

     
    安装类型

     
    零件状态

     
    基本零件编号

     
    电流 - 集电极(Ic)(最大值)

     
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)

     
    封装/外壳

     
    电压 - 集射极击穿(最大值)

     
    频率 - 跃迁

     
    电阻器 - 基底(R1)

     
    电流 - 集电极截止(最大值)

     
    电阻器 - 发射极基底(R2)

     
    包装

     
    供应商器件封装

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    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):x
    晶体管类型:x
    功率 - 最大值:x
    安装类型:x
    零件状态:x
    基本零件编号:x
    电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):x
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    频率 - 跃迁:x
    电阻器 - 基底(R1):x
    电流 - 集电极截止(最大值):x
    电阻器 - 发射极基底(R2):x
    包装:x
    供应商器件封装:x
    序号 图片 型号 制造商 环保 描述
    1 PUMD48,125 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    2 PUMD48,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    3 PUMD48,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    4 PUMD48,165 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    5 PUMD48,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    6 PUMD48,165 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    7 RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 300mW 表面贴装 SM6
    8 RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 300mW 表面贴装 SM6
    9 RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 300mW 表面贴装 SM6
    10 RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ESV
    11 RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ESV
    12 RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ESV
    13 DDA122TU-7-F Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 SOT-363
    14 DCX142JH-7 Diodes Incorporated Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 150mW 表面贴装 SOT-563
    15 UMD3NTR Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 UMT6
    16 UMD3NTR Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 UMT6
    17 UMD3NTR Rohm Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 150mW 表面贴装 UMT6
    18 PUMD48,165 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    19 PEMH7,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 SOT-666
    20 PQMH10Z Nexperia USA Inc. Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 230MHz 350mW 表面贴装 DFN1010B-6

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