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  • 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 共2242条产品


     
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

     
    晶体管类型

     
    功率 - 最大值

     
    安装类型

     
    零件状态

     
    基本零件编号

     
    电流 - 集电极(Ic)(最大值)

     
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)

     
    封装/外壳

     
    电压 - 集射极击穿(最大值)

     
    频率 - 跃迁

     
    电阻器 - 基底(R1)

     
    电流 - 集电极截止(最大值)

     
    电阻器 - 发射极基底(R2)

     
    包装

     
    供应商器件封装

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    RoHSx
    不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):x
    晶体管类型:x
    功率 - 最大值:x
    安装类型:x
    零件状态:x
    基本零件编号:x
    电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
    不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):x
    封装/外壳:x
    电压 - 集射极击穿(最大值):x
    频率 - 跃迁:x
    电阻器 - 基底(R1):x
    电流 - 集电极截止(最大值):x
    电阻器 - 发射极基底(R2):x
    包装:x
    供应商器件封装:x
    序号 图片 型号 制造商 环保 描述
    1 PUMD2,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    2 PUMD2,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
    3 RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ES6
    4 RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ES6
    5 RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 US6
    6 RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 US6
    7 PEMD10,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 SOT-666
    8 NSTB1002DXV5T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN 预偏压式,1 PNP 50V,40V 100mA,200mA 250MHz 500mW 表面贴装 SOT-553
    9 NSVB143ZPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
    10 NSVBA114EDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563-6
    11 NSVBA114YDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
    12 NSVBC114EDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
    13 NSVBC114EPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
    14 NSVBC114YPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
    15 NSVBC123JPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
    16 NSVBC124EDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
    17 NSVBC124EPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 339W 表面贴装 SOT-563
    18 NSVBC124XPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
    19 SMUN5235DW1T3G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 187mW 表面贴装 SOT-363
    20 SMUN5311DW1T3G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 187mW 表面贴装 SOT-363

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